滿足半導體集成電路，電力電子器件，光電子等行業用於在硅片上澱積sio2、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及難溶金屬硅化物等多種薄膜工藝。
技術參數:
熔爐管: 2-Tube (LPCVD工藝: 1tube/ 熔爐工藝:1tube)
晶圓大小: 4英吋或6英吋
裝載晶圓數: 1--10張
基板加熱用加熱器: 垂直型1-Zone加熱器
加熱器表面溫度: 1250C
真空度: < 0.005Torr
真空泵: 機械泵(選項:羅茨泵 或者分子渦淪泵+機械泵)
工藝控制方式: 根據程序及順序的自動方式
系統規格: 1660mm(W) X 600mm(D) X 1830mm(H)
